| 型号：MVY16VC102MK14TR | 类别：电容器 | 制造商：United Chemi-Con |
| 封装：径向，Can - SMD | 描述：CAP ALUM 1000UF 16V 20% SMD | |
详细参数
| 类别 | 电容器 |
|---|---|
| 描述 | CAP ALUM 1000UF 16V 20% SMD |
| 系列 | MVY |
| 制造商 | United Chemi-Con |
| 电容 | 1000µF |
| 额定电压 | 16V |
| 容差 | ±20% |
| 寿命0a0温度 | 105°C 时为 5000 小时 |
| 工作温度 | -55°C ~ 105°C |
| 特点 | 通用 |
| 纹波电流 | 820mA |
| ESR111等效串联电阻222 | - |
| 阻抗 | 70 毫欧 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 径向，Can - SMD |
| 尺寸/尺寸 | 0.492" 直径（12.50mm） |
| 高度_座高111最大222 | 0.531"（13.50mm） |
| 引线间隔 | - |
| 表面贴装占地面积 | 0.512" L x 0.512" W（13.00mm x 13.00mm） |
| 包装 | 托盘 |
供应商
| 深圳市同亨电子有限公司 | 洪小姐，微信1892285731718922857317 |
| GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD | 刘先生13910052844（微信同步） |
MVY16VC102MK14TR相关型号
- MX1A-C1NN
按钮
Cherry
SOT-439A
SWITCH PUSH SPST-NO 0.01A 12V
- MT47H64M16HR-3 IT:H TR
存储器
Micron Technology Inc
84-TFBGA
IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84FBGA
- MCR18ERTF3321
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 3.32K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MT48LC4M16A2P-6 IT:G TR
存储器
Micron Technology Inc
54-TSOP（0.400＂，10.16mm 宽）
IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 54TSOP
- MVU18-8FBK
端子 - 铲形
3M
19-SMD
CONN TERM SPADE INS 22-18AWG #8
- MCR03EZPFX5623
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603（1608 公制）
RES 562K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- MT18VDVF12872Y-335F1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
184-DIMM
MODULE DDR 1GB 184-DIMM VLP
- MX1H5615
单二极管/整流器
Microsemi Commercial Components Group
轴向
DIODE 1A 200V AXIAL
- MV036T360M003
DC DC 转换器（分解式）
Vicor Corporation
模块
MIL-COTS VTM CURRENT MULTIPLIER
- MT47H64M16HR-3:H TR
存储器
Micron Technology Inc
84-TFBGA
IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84FBGA
- MCR18ERTF33R0
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 33.0 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MT48LC4M16A2P-75 IT:G TR
存储器
Micron Technology Inc
54-TSOP（0.400＂，10.16mm 宽）
IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54TSOP
- MVY10VC101MF55TP
电容器
United Chemi-Con
径向，Can - SMD
CAP ALUM 100UF 10V 20% SMD
- MCR03EZPFX56R2
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603（1608 公制）
RES 56.2 OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- MT-19
接线座 - 隔板块
Curtis Industries
184-DIMM
TERM BARRIER 19CIRC DUAL ROW
- MT47H64M8B6-25E IT:D TR
存储器
Micron Technology Inc
60-FBGA
IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60VFBGA
- MV-064064-25-8A
标签，标记
TE Connectivity
模块
LABEL ID PRODUCT
- MX23A36NF1
矩形- 接头，公引脚
JAE Electronics
轴向
CONN HEADER PIN 36POS R/A TIN
- MT48LC4M16A2P-75 IT:G TR
存储器
Micron Technology Inc
54-TSOP（0.400＂，10.16mm 宽）
IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54TSOP
- MCR18ERTFL1R00
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 1.00 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MT47H64M8B6-3:D TR
存储器
Micron Technology Inc
60-FBGA
IC DDR2 SDRAM 512MBIT 3NS 60FBGA
- MCR03EZPFX56R2
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603（1608 公制）
RES 56.2 OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- MT1S-Q
标记
Panduit Corp
184-DIMM
TAG MKR STL SQUARE 1＂
- MV-127111-10-8A
标签，标记
TE Connectivity
模块
LABEL ID PRODUCT
- MX25L1606EM1I-12G
存储器
Macronix
8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
IC FLASH SERIAL 3V 16MB 8SOP
- MT48LC4M16A2P-75 L:G TR
存储器
Micron Technology Inc
54-TSOP（0.400＂，10.16mm 宽）
IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54TSOP
- MCR18ERTFL1R30
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 1.30 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MT47H64M8B6-3:D TR
存储器
Micron Technology Inc
60-FBGA
IC DDR2 SDRAM 512MBIT 3NS 60FBGA
- MVY16VC221MF80TP
电容器
United Chemi-Con
径向，Can - SMD
CAP ALUM 220UF 16V 20% SMD
- MT-2
接线座 - 隔板块
Curtis Industries
184-DIMM
TERM BARRIER 2CIRC DUAL ROW
- MCR03EZPFX57R6
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603（1608 公制）
RES 57.6 OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- MV-127127-10-8A
标签，标记
TE Connectivity
模块
LABEL ID PRODUCT
- MX25L1606EZUI-12G
存储器
Macronix
8-UDFN 裸露焊盘
IC FLASH SERIAL 3V 16MB 8USON
- MT48LC4M16A2TG-75 IT:G TR
存储器
Micron Technology Inc
54-TSOP（0.400＂，10.16mm 宽）
IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54TSOP
- MCR18ERTFL3R30
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 3.30 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MT47H64M8CB-3:B TR
存储器
Micron Technology Inc
60-FBGA
IC DDR2 SDRAM 512MBIT 3NS 60FBGA
- MVY16VC331MH10TP
电容器
United Chemi-Con
径向，Can - SMD
CAP ALUM 330UF 16V 20% SMD
- MCR03EZPFX5900
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603（1608 公制）
RES 590 OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- MT2000-2.0-X-SP
热缩管
TE Connectivity
184-DIMM
HEAT SHRINK TUBING
- MV14-610RX-BOTTLE
端子 - 环形
3M
模块
CONN RING INSUL 16-14AWG 100PC
